ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜高速・低電圧化した 磁気メモリーＭＲＡＭを 米Ｍｏｔｏｒｏｌａが発表
日経マイクロデバイス 第180号 2000.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第180号（2000.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全315字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （37kb） |
| 雑誌掲載位置 | 164ページ目 |
ＬＳＩビジネスシステムＬＳＩ微細化 米Ｍｏｔｏｒｏｌａ，Ｉｎｃ．の研究機関であるＭｏｔｏｒｏｌａ Ｌａｂｓと，同社半導体部門に属するＤｉｇｉｔａｌＤＮＡ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓは共同で，磁気を使ったメモリーであるＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）の高速・低電圧化に成功したと発表した。Ｍｏｔｏｒｏｌａが今回発表したのは，アドレス・アクセス時間が１５ｎｓ以下と短い…
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