ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜フラッシュ向け設備投資 Ｉｎｔｅｌは２１００億円以上 ＦＡＳＬは１４００億円
日経マイクロデバイス 第180号 2000.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第180号（2000.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全582字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （37kb） |
| 雑誌掲載位置 | 164ページ目 |
ＬＳＩ製造設備投資戦略 フラッシュ・メモリーの供給量増大に向けた大手ＬＳＩメーカーによる設備投資計画が明らかになった。米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．は，０．１８μｍのＮＯＲ型フラッシュ・メモリーを製造するために２１００億円（２０億米ドルを１０５円／米ドルで換算）以上の設備投資をする。２００２年に１９９９年の８倍の量産規模を確保することを狙う。Ｉｎｔｅｌは，２００１年末までに四つのフラッシュ・メモリー工場…
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