ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜東海村の放射能漏れ事故 日立のＬＳＩ工場は一時停止 生産をすぐに再開
日経マイクロデバイス 第173号 1999.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第173号（1999.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全246字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 141ページ目 |
工場ＤＲＡＭシステムＬＳＩ 茨城県東海村にあるウラン燃料加工施設で９月３０日に起きた放射能漏れ事故の影響で日立製作所が同地区における１０月１日の操業・営業を一時中止した。半導体関連では，ＤＲＡＭやシステムＬＳＩを生産する那珂工場のＮ１，Ｎ２，Ｎ３が操業をいずれも中止したほか，製造装置を扱う計測器グループや，日立研究所が同様に中止した。ただし１０月１日中に通常の生産を再開した。操業停止時に工場内に残…
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