ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜「エレショー」のメモリー関連 ０． １８μｍＤＲＡＭと 大容量フラッシュが注目
日経マイクロデバイス 第173号 1999.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第173号（1999.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1019字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 141ページ目 |
ＤＲＡＭフラッシュ・メモリー ０．１８μｍ世代の高速ＤＲＡＭと大容量のフラッシュ・メモリーが，１０月５日〜９日に開かれた「１９９９年エレクトロニクスショー」のメモリー関連の展示で相次いだ（詳細はホームページ「ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｎｉｋｋｅｉｂｐ．ｃｏ．ｊｐ／ｃｙｂｅｒｄｅｖｉｃｅ」を参照）。 ０．１８μｍ世代のＤＲＡＭでは，ＤＲＡＭ大手の製品計画が相次いで発表になった。ここに来てＤＲＡＭの市場シ…
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