ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜東芝と米ＳａｎＤｉｓｋが フラッシュ製造合弁会社を ２０００年１月に設立
日経マイクロデバイス 第173号 1999.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第173号（1999.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全604字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 141ページ目 |
ＬＳＩビジネスフラッシュ・メモリー提携 東芝セミコンダクター社と米ＳａｎＤｉｓｋ Ｃｏｒｐ．は，大容量のＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーの製造を目的とした合弁会社を設立する。両社が５０％ずつ出資し，２０００年１月をメドに基本合意書を作成する。合弁会社は主に以下の２点を受け持つ。（１）東芝が開発中の０．１６μｍルール，０．１３μｍルールのプロセス技術と，ＳａｎＤｉｓｋが保有する２ビット／セルの多値技術…
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