Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ　特集１　横型ＧａＮ猛追〜誰でも造れるＧａＮ　ＨＥＭＴ　Ｓｉ半導体の製造設備の転用相次ぐ
日経エレクトロニクス　第1257号　2023.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1257号（2023.11.1）
ページ数	5ページ　（全3831字）
形式	PDFファイル形式　（783kb）
雑誌掲載位置	52〜56ページ目

第２部：企業戦略窒化ガリウム（ＧａＮ）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）のパワー半導体の量産を手掛けるメーカーが続々と現れている。ＧａＮ　ＨＥＭＴの市場拡大が進むにつれ、今後も参入メーカーが増え続ける可能性が高い。その背景には、ＧａＮ　ＨＥＭＴデバイスの製造が容易であるという事実がある。現在、窒化ガリウム（ＧａＮ）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）のパワー半導体を量産するメーカーは増える一方だ…