Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ　特集１　横型ＧａＮ猛追〜上位企業は海外勢　基板は強いが存在感薄い日本
日経エレクトロニクス　第1257号　2023.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1257号（2023.11.1）
ページ数	4ページ　（全3840字）
形式	PDFファイル形式　（889kb）
雑誌掲載位置	57〜60ページ目

第３部：業界動向シリコンカーバイド（ＳｉＣ）と共に次世代パワー半導体材料として期待されているのが窒化ガリウム（ＧａＮ）だ。ＧａＮは電力損失が少なく、高周波特性に優れる。急速な市場成長が期待されており、企業買収の動きなどが進んでいる。ＧａＮの基板とデバイスを中心に、市場のプレーヤーを整理した。シリコンカーバイド（ＳｉＣ）と共に次世代パワー半導体材料として期待されているのが窒化ガリウム（ＧａＮ）だ。Ｇ…