Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ 特集１ 横型ＧａＮ猛追〜横型ＧａＮ猛追
日経エレクトロニクス 第1257号 2023.11.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1257号（2023.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全367字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1416kb） |
| 雑誌掲載位置 | 46〜47ページ目 |
窒化ガリウム（ＧａＮ）パワーデバイス、中でも高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、いわゆる横型ＧａＮの勢いが増してきた。ＵＳＢ充電器での成功を受け、半導体製造大手が続々と量産に踏み出したからだ。量産競争が加速したことで、シリコン（Ｓｉ）のパワー半導体との価格差は年々狭まりつつある。価格が下がったことで、発熱の少なさ、高速駆動といったＧａＮの強みを生かした装置開発が各所で本格化している。遠くない将来…
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