Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ　特集１　横型ＧａＮ猛追〜価格競争力を付けたＧａＮ　ＨＥＭＴ　弱点も克服でＳｉ　ＭＯＳＦＥＴに挑む
日経エレクトロニクス　第1257号　2023.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1257号（2023.11.1）
ページ数	4ページ　（全2878字）
形式	PDFファイル形式　（850kb）
雑誌掲載位置	48〜51ページ目

第１部：総論窒化ガリウム（ＧａＮ）パワーデバイスの市場に変革期が訪れている。ＧａＮ　高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）が、価格や扱いづらさなどの課題を克服することで、シリコン（Ｓｉ）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の王座を脅かす、有力な挑戦者の立場にのし上がってきた。窒化ガリウム（ＧａＮ）パワーデバイスの市場に変革期が訪れている。ＧａＮ　高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）が…