Ｅｍｅｒｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈ　解説　半導体〜まだ続く半導体微細化　最終到達点は「究極のトランジスタ」ＣＦＥＴ
日経エレクトロニクス　第1252号　2023.6.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1252号（2023.6.1）
ページ数	5ページ　（全5322字）
形式	PDFファイル形式　（1351kb）
雑誌掲載位置	70〜74ページ目

「ラピダスもいずれ乗り越えなければならない技術になる」。半導体製造受託会社Ｒａｐｉｄｕｓ（ラピダス、東京・千代田）の関係者がこう見据えるのは、次世代のトランジスタ構造「ＣＦＥＴ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　ＦＥＴ）」である。同社は最先端２ｎｍ世代プロセスのＧＡＡ（Ｇａｔｅ　Ａｌｌ　Ａｒｏｕｎｄ）トランジスタの量産を２０２７年に目指す。ＣＦＥＴは、その先、２０３０年代に実現するという１ｎｍ世代以降の…