Tech−On!Ranking[LSI]〜NECの32nm向け配線技術層間絶縁膜のすべての層を連続成膜可能に
日経マイクロデバイス 第272号 2008.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第272号(2008.2.1) |
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ページ数 | 1ページ (全467字) |
形式 | PDFファイル形式 (312kb) |
雑誌掲載位置 | 108ページ目 |
NECは,層間絶縁膜のすべての層を低誘電率化し,連続成膜できるようにした32nm世代向け配線技術を「2007 IEDM」で発表した(講演番号37.2)。Cuの拡散を抑止できるlow−k材料をバリヤー絶縁膜に使う。配線の実効比誘電率(keff)は従来の2.9から2.75へと低減した。NECがバリヤー絶縁膜に適用したのは,「シリカ・炭素複合膜(SCC:silica−carbon composite)…
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