Tech−On!Ranking[LSI]〜東芝とIBM32nm世代のバルクCMOSプロセスを共同開発
日経マイクロデバイス 第272号 2008.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第272号(2008.2.1) |
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ページ数 | 1ページ (全304字) |
形式 | PDFファイル形式 (312kb) |
雑誌掲載位置 | 109ページ目 |
米IBM Corp.と東芝は,32nm世代のバルクCMOSプロセス技術を共同開発することで合意したと発表した。両社は2005年12月から,米国ニューヨーク州ヨークタウンやアルバニーにある研究施設において,32nm以降の半導体プロセス技術に関する基礎研究を共同で進めてきた。今回の合意により,これまでの基礎研究の成果を基に,共同開発対象を32nm世代のバルクCMOSプロセス技術まで広げる。今回の合意…
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