Tech−On!Ranking[LSI]〜Intelが驚きのデータ「high−k/メタル・ゲートで特性バラつきは減る」
日経マイクロデバイス 第272号 2008.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第272号(2008.2.1) |
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ページ数 | 1ページ (全511字) |
形式 | PDFファイル形式 (312kb) |
雑誌掲載位置 | 108ページ目 |
MOSトランジスタの微細化限界を決める要因の一つが特性バラつきの増大であるとの認識が広まり,最近の半導体技術の国際学会では,微細MOSトランジスタの特性バラつきに関する論文が増えている。「2007 IEDM」の“Device/Design Interaction”のセッション(Session 18)では,主にMOSトランジスタの特性バラつきが議論された。注目を集めたのは,米Intel Corp.…
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