Tech−On!Ranking[LSI]〜実力で群を抜くSamsungナノワイヤー・トランジスタは今回もアジア勢が圧倒
日経マイクロデバイス 第272号 2008.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第272号(2008.2.1) |
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ページ数 | 1ページ (全497字) |
形式 | PDFファイル形式 (312kb) |
雑誌掲載位置 | 108ページ目 |
究極のFET構造として注目されているナノワイヤー・トランジスタは,IEDMでも年々論文が増えている分野である。「2007 IEDM」会期最終日の“Advanced Device Structures”のセッション(Session 34)では,4件のナノワイヤー・トランジスタの実測データが発表された。この分野は過去のIEDMではアジア勢が圧倒的に強く,今回もすべて日本を含むアジア勢からの発表だった…
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