Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜ひずみＳｉやｈｉｇｈ−ｋ／メタル・ゲートを評価
日経マイクロデバイス 第270号 2007.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第270号（2007.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全529字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （543kb） |
| 雑誌掲載位置 | 152ページ目 |
これまで困難だった，パターン付きウエーハの膜の応力測定を可能にした装置（図５）。従来は，測定に利用するレーザー光が素子のパターンで散乱・回折され，膜の応力を正しく測れなかった。今回，レーザーを含む光学系とウエーハ・ステージ，データ処理手法を改良し，光の散乱・回折の影響を避けられるようにした。３００ｍｍウエーハに対応し，測定速度は標準的な測定条件で２０枚／時である。ウエーハ面内の測定点を減らせばさ…
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Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜１台でｌｏｗ−ｋ膜付きウエーハを切断
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜最大１２８ポートに対応
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Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜高精度の加工終点検出が可能
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜信号対雑音比を５倍に向上
