Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜１台でｌｏｗ−ｋ膜付きウエーハを切断
日経マイクロデバイス 第270号 2007.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第270号（2007.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全490字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （543kb） |
| 雑誌掲載位置 | 151ページ目 |
二つのレーザー発振器を搭載することで，ｌｏｗ−ｋ膜を使うウエーハの切断を１台で可能にしたレーザー加工装置（図３）。レーザー光を試料に照射して試料の一部を気化させるアブレーション加工技術は，ｌｏｗ−ｋ膜の溝加工とウエーハの切断の両方に対応できる。しかし，膜はがれなくｌｏｗ−ｋ膜を溝加工するのと，小さい熱ストレスでＳｉウエーハを切断する加工では，レーザー発振器の条件が異なるために，これまでは２台のレ…
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