Ｓｐｅｃｉａｌ　Ｆｅａｔｕｒｅ〜３２ｎｍ以降もＬＳＩの性能向上を持続へｈｉｇｈ−ｋ／メタル・ゲートの普及を加速
日経マイクロデバイス　第266号　2007.8.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第266号（2007.8.1）
ページ数	5ページ　（全6294字）
形式	PDFファイル形式　（883kb）
雑誌掲載位置	55〜59ページ目

「トランジスタの歴史における最大の技術革新」。米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．と米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．がそれぞれ４５ｎｍ世代での実用化をそう高らかに宣言した高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）絶縁膜／メタル・ゲート。このテクノロジ・ブースタが３２ｎｍ以降にＬＳＩメーカーに広く浸透し，ＬＳＩの性能向上を持続させる。この６月に開催された「２００７　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　ＶＬＳＩ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」では，こうしたＬＳ…