Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜韓国Ｓａｍｓｕｎｇ，５１ｎｍ技術を適用した１６ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュを量産
日経マイクロデバイス 第264号 2007.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第264号（2007.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全304字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （308kb） |
| 雑誌掲載位置 | 97ページ目 |
韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．は，５１ｎｍ技術を適用した１６ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーの量産を開始した。５１ｎｍ品は，６０ｎｍ品に比べて約６０％の生産性向上が可能という。５１ｎｍ品は，４Ｋバイトを基本単位としてデータ処理しており，６０ｎｍ品に比べて，読み出し／書き込み速度を約２倍に向上させた。高速の読み出し速度の実現が難しかった従来のＭＬＣ（ｍｕｌｔｉ …
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