Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜Ｓｉ貫通電極が実用段階にＩＢＭが通信用ＬＳＩをサンプル出荷へ
日経マイクロデバイス 第264号 2007.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第264号（2007.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1422字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （225kb） |
| 雑誌掲載位置 | 85ページ目 |
ＳｉＰ（ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ｐａｃｋａｇｅ）の高性能化や小型化を可能にするＳｉ貫通電極技術の実用化が，目前に迫ってきた（図１）。米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．は，この技術を使ってチップ積層するＬＳＩの試作を，同社の製造ラインで開始した。この技術を「研究所から工場へ（ｌａｂ ｔｏ ｔｈｅ ｆａｂ）移行させる時が来た」と，同社Ｖｉｃｅ Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ， Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ａｎｄ…
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