Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜キャリヤ分布を約１ｎｍの分解能で測定東芝が４５ｎｍ以降のＬＳＩ開発に適用
日経マイクロデバイス　第264号　2007.6.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第264号（2007.6.1）
ページ数	2ページ　（全2019字）
形式	PDFファイル形式　（439kb）
雑誌掲載位置	92〜93ページ目

　東芝は，キャリヤ濃度の分布を約１ｎｍの分解能で測定できる技術を開発した。走査型拡がり抵抗顕微鏡（ＳＳＲＭ）を改良した成果であり，同社は既に４５ｎｍ世代以降のＬＳＩの開発に適用しているという（図１）１）。「優れた分析技術を持つことは，ＬＳＩの開発力強化につながる。設計やプロセス技術などとともに，分析技術も顧客に向けたアピール・ポイントになる」（同社　研究開発センター　ＬＳＩ基盤技術ラボラトリー　室…