Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜米Ｉｎｔｅｌ，９０ｎｍ世代のＰＲＡＭのサンプル出荷を２００７年第１四半期中に開始
日経マイクロデバイス 第261号 2007.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第261号（2007.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全389字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （931kb） |
| 雑誌掲載位置 | 93ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．は，９０ｎｍ世代のＰＲＡＭ（ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）の評価用サンプルを２００７年第１四半期中に出荷する。同社Ｃｈｉｅｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｏｆｆｉｃｅｒ， Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ ＧｒｏｕｐのＥｄ Ｄｏｌｌｅｒ氏が，１月３０〜３１日開催の「第５回半導体メモリー・シンポジウム」で明らかにした。同サンプルは，携帯電話機などに使うＮＯＲ型フラッシュ・メモリーのユ…
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