Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜４５ｎｍ世代のＮＯＲ型フラッシュ米Ｓｐａｎｓｉｏｎが３月までに試作チップを製造
日経マイクロデバイス 第261号 2007.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第261号（2007.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全207字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （931kb） |
| 雑誌掲載位置 | 93ページ目 |
米Ｓｐａｎｓｉｏｎ Ｉｎｃ．は，４５ｎｍ世代のＮＯＲ型フラッシュ・メモリーの試作チップの製造を，２００７年３月までに始める。今回は４５ｎｍ世代品量産への大きなステップといえる３００ｍｍウエーハを使った試作のスケジュールを明らかにした。この試作は，米国カリフォルニア州の研究開発施設で実施する。なお，量産は設備搬入中の新３００ｍｍライン「ＳＰ１」（福島県会津若松市）で行うことが既に発表されている。 …
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