Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ｈｉｇｈ−ｋ／メタル・ゲート米Ｉｎｔｅｌに続き米ＩＢＭが４５ｎｍで導入
日経マイクロデバイス　第261号　2007.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第261号（2007.3.1）
ページ数	1ページ　（全289字）
形式	PDFファイル形式　（931kb）
雑誌掲載位置	93ページ目

　米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．は，２００８年に量産を始める４５ｎｍ世代のＬＳＩに，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜とメタル・ゲートを導入する。米国ニューヨーク州の同社の製造ラインに，これらの材料に対応する技術を導入済みである。ＩＢＭが４５ｎｍ世代チップに導入するｈｉｇｈ−ｋ／メタル・ゲート技術は，米Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍｉｃｒｏ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，　Ｉｎｃ．（ＡＭＤ），東芝，ソニーとの共同開発による。チッ…