Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ＮＥＣらが３２ｎｍ世代の論理ＬＳＩ向けの多層配線技術を開発，「ｌｏｗ−ｋにはメド」
日経マイクロデバイス 第260号 2007.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第260号（2007.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全282字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （311kb） |
| 雑誌掲載位置 | 89ページ目 |
ＮＥＣとＮＥＣエレクトロニクスは，３２ｎｍ世代の論理ＬＳＩに向けた多層配線技術を開発した。「３２ｎｍ世代で求められる配線ピッチが１００ｎｍと微細な多層配線を試作したのは世界で初めて」（ＮＥＣ）とする。ｌｏｗ−ｋ膜（低誘電率層間絶縁膜）の成膜方法などを工夫し，３２ｎｍ世代のＬＳＩに必要な性能を達成しつつ，これまでの課題だった「絶縁耐久性が低い」という問題を解決した。次世代の高速ネットワーク・サーバ…
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