Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ＮＥＣエレクトロニクスなど３社Ｓｉ貫通電極用の多結晶Ｓｉの成膜時間を短縮
日経マイクロデバイス 第260号 2007.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第260号（2007.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全334字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （311kb） |
| 雑誌掲載位置 | 89ページ目 |
ＮＥＣエレクトロニクスとエルピーダメモリ，沖電気工業は共同で，メモリー・チップを積層してＳｉ貫通電極でつなぐ積層メモリー・パッケージ技術の開発状況を「２００６ ＩＥＤＭ」で報告した（講演番号２１．５：「Ａ ３Ｄ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ ４Ｇｂｉｔ Ｓｔａｃｋｅｄ ＤＲＡＭ ｗｉｔｈ ３Ｇｂｐｓ Ｄａｔａ Ｔｒａｎｓｆｅｒ」）。今回は，Ｓｉ貫通電極に埋め込む多結晶Ｓｉの成…
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