Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜会場に来ないと分からない「Ｌａｔｅ Ｎｅｗｓ」高性能ＲＦ用６５ｎｍ世代ＣＭＯＳが登場
日経マイクロデバイス 第260号 2007.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第260号（2007.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全349字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （311kb） |
| 雑誌掲載位置 | 89ページ目 |
半導体製造技術関連で世界最大の国際学会「２００６ ＩＥＤＭ」の開幕前日に当たる２００６年１２月１０日，「Ｌａｔｅ Ｎｅｗｓ Ｐａｐｅｒ」の内容が明らかになった。これは，開催前日に，しかも会場に来ないと，詳細はおろかタイトルすらも分からない「隠し玉」の発表が集まったものである。２００６年のＬａｔｅ Ｎｅｗｓ Ｐａｐｅｒは全部で５件。中でも注目は，ＲＦ回路の高性能化のためにひずみＳｉトランジスタを組…
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