Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ルネサス，４５ｎｍ世代のＳｏＣ向け低コストＣＭＯＳ技術を開発
日経マイクロデバイス 第260号 2007.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第260号（2007.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全212字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （311kb） |
| 雑誌掲載位置 | 89ページ目 |
ルネサス テクノロジは，２００８年の量産を計画する４５ｎｍ世代のＳｏＣに向けた低コストのＣＭＯＳ技術を開発した。米国サンフランシスコで開催中の「２００６ ＩＥＤＭ」で発表した（講演番号９．５）。ｐＭＯＳにメタル・ゲート，ｎＭＯＳに多結晶Ｓｉゲートを使うハイブリッド構造とし，４５ｎｍ世代に必要な駆動能力を従来より低コストなプロセスで実現した。携帯電話機向けＳｏＣなど，低待機電流が求められる用途に向…
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