Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜独Ｑｉｍｏｎｄａと仏Ａｌｔｉｓ，２ビット／セルの６５ｎｍ世代ＭＲＡＭ記憶素子を開発
日経マイクロデバイス 第260号 2007.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第260号（2007.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全493字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （311kb） |
| 雑誌掲載位置 | 88ページ目 |
独Ｑｉｍｏｎｄａ ＡＧ．と仏Ａｌｔｉｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ社は共同で，２ビット／セルに多値化した６５ｎｍ世代のＭＲＡＭの記憶素子を開発した。ＭＲＡＭの多値化の可能性を微細な記憶素子を使って実証した例は今回が初めてで，米国サンフランシスコで開催された「２００６ ＩＥＤＭ」で発表した（講演番号６．５）。両社が開発したＭＲＡＭの記憶素子は，微細化に伴う消費電流の増大を抑制しやすい熱選択（ｔｈｅ…
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