Ｔｕｔｏｒｉａｌ 本命で斬るプロセス装置技術総覧 第９回●ＳＯＩ基板技術〜第９回●ＳＯＩ基板技術 ＬＳＩの性能を微細化に頼らず向上 高速化と低電力化に寄与
日経マイクロデバイス 第257号 2006.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第257号（2006.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全10601字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （522kb） |
| 雑誌掲載位置 | 112〜119ページ目 |
中嶋 定夫日立国際電気 電子機械事業部 富山工場 量産プロセス開発部吉見 信Ｓｏｉｔｅｃ Ａｓｉａ連載の第９回では，トランジスタのドレインと基板の間の寄生容量を減らしてＬＳＩの性能を高めるＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板技術を取り上げる。ＳＯＩ基板技術は，微細化に頼らずにＬＳＩの性能を向上させる「テクノロジ・ブースタ」の一種であり，すでに高速プロセサや低電力ＬＳＩなどで実用…
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