Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜動作原理の提案相次ぐＲｅＲＡＭ　記憶素子材料による分類が明確に
日経マイクロデバイス　第257号　2006.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第257号（2006.11.1）
ページ数	3ページ　（全4131字）
形式	PDFファイル形式　（293kb）
雑誌掲載位置	97〜99ページ目

　フラッシュ・メモリーを性能とコストでしのぐ可能性を秘めた新型不揮発性メモリー。そのような期待を集めるＲｅＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　ｒａｎｄｏｍ　ａｃｃｅｓｓ　ｍｅｍｏｒｙ）に関する研究会「ＡＩＳＴ　Ｗｏｒｋｓｈｏｐ　ｏｎ　Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ　Ｏｘｉｄｅｓ」注１）が，２００６年９月に都内で開催された（図１）。ここでは，大手ＬＳＩメーカー４社がＲｅＲＡＭに関する最新の開発成果を披露した。シャープ…