Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ４５〜３２ｎｍ世代のＬＳＩ配線に対応〜４５〜３２ｎｍ世代のＬＳＩ配線に対応 Ｃｕ電解メッキ装置「ＳＡＢＲＥ Ｅｘｔｒｅｍｅ」
日経マイクロデバイス 第255号 2006.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第255号（2006.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全565字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （335kb） |
| 雑誌掲載位置 | 111ページ目 |
４５〜３２ｎｍ世代のＬＳＩ配線プロセスに使えるＣｕ電解メッキ装置（図２）。微細化に対応するために，２０ｎｍ厚以下のシード層にＣｕ膜を均一に成膜できるようにした。主な改良点は次の三つである。第１に，メッキ電流が小さくなって成膜速度が低下するのを防いだ。シード層が薄くなってこの層の抵抗が高くなると，陽極とウエーハ（陰極）の間に印加する電圧のメッキ液への分圧比が低下し，成膜に必要な電流を維持できなくな…
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