Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ＳａｍｓｕｎｇがＳｉ貫通電極技術を実用へ レーザー使い穴形成を高速化
日経マイクロデバイス 第252号 2006.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第252号（2006.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2754字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （267kb） |
| 雑誌掲載位置 | 90〜91ページ目 |
２００６年中にメモリー・カード向けサンプル ＬＳＩチップに開けた穴（貫通孔）に形成した電極を介して複数のチップを相互接続するＳｉ貫通電極技術が，いよいよ実用段階に入る。韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．が，この技術を使ったＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーの評価サンプルを２００６年中にもメモリー・カード向けに出荷する。早ければ同年中に商用サンプルの出荷を開始する構えである。…
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