Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜６Ｖ動作のＭビット級メモリー １８０ｎｍ以降のチップへの混載可能に
日経マイクロデバイス 第252号 2006.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第252号（2006.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1830字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （54kb） |
| 雑誌掲載位置 | 87ページ目 |
１８０ｎｍ世代以降のＬＳＩにＣＭＯＳプロセスで混載できるＭビット級メモリーが登場した。台湾ｅＭｅｍｏｒｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．が手掛けるメモリーＩＰ「ＮｅｏＦｌａｓｈ」である（図１）。数百ｋビット品が主流のＭＣＵ（ｍｉｃｒｏ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ ｕｎｉｔ）向け混載メモリーの容量を，同等のチップ面積で１０Ｍビット級に拡張できる。ＣＭＯＳ混載に必要な追加マスクは，従来の１／２の３枚と少な…
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