Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜Ｓｉ結晶の１原子分の 欠陥を検出する手法を 富士通研などが開発
日経マイクロデバイス 第252号 2006.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第252号（2006.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全359字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （123kb） |
| 雑誌掲載位置 | 94ページ目 |
富士通研究所と新潟大学は共同で，Ｓｉ結晶中に存在する１原子分の結晶欠陥を検出し，その密度の測定に成功した。Ｓｉ結晶から切り出すウエーハの製造や，そのウエーハを使って製造するＬＳＩの歩留まり向上につながるとする。今回，富士通研と新潟大学のグループが共同開発したのは，０．５Ｋ（−２７２．５℃）といった極低温でＳｉ結晶に超音波を当て，結晶中の超音波の伝搬速度を測定して空孔欠陥の密度を算出する手法である…
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