Ｉｎｓｉｄｅ ＥＤＡ〜ＲＦ ＣＭＯＳの普及で注目集める 新世代トランジスタ・モデルを評価
日経マイクロデバイス 第252号 2006.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第252号（2006.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全7074字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （232kb） |
| 雑誌掲載位置 | 75〜80ページ目 |
ＬＳＩ設計の基盤となるトランジスタのモデルが代わろうとしている。ここ１０年間はＣＭＯＳデジタル回路に最適化された「ＢＳＩＭ（Ｂｅｒｋｅｌｅｙ Ｓｈｏｒｔ−Ｃｈａｎｎｅｌ ＩＧＦＥＴ Ｍｏｄｅｌ）」が業界標準だった。物理現象を定式化するというモデル化の原点に戻ることで，新しいモデルはＲＦ回路の振る舞いをＢＳＩＭより精度よく表す。新しいモデルを使うと，プロセスのバラつきの影響をシミュレーションで予測し…
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