Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜「３０ｎｍへの微細化の道見えた」　東芝が浮遊ゲートの延命策を語る
日経マイクロデバイス　第250号　2006.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第250号（2006.4.1）
ページ数	1ページ　（全342字）
形式	PDFファイル形式　（123kb）
雑誌掲載位置	89ページ目

　「浮遊ゲートでの３０ｎｍ世代突破は第１目標，それ以降の微細化も見据えている」。東芝は，「ＮＶＳＭＷ　２００６」の初日に開催されたパネル・ディスカッションで，浮遊ゲート型フラッシュの微細化について，このような強気の見方を示した。同社は２００５年から７０ｎｍ世代のＮＡＮＤ型を量産しており，「まもなく５５ｎｍ世代の量産を開始する」（パネリストとして登壇した東芝セミコンダクター社　メモリ事業部　フラッシ…