Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜多値セル相次ぐＳＯＮＯＳ型 書き込み速度向上が浮遊ゲート代替への課題
日経マイクロデバイス 第250号 2006.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第250号（2006.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全489字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （123kb） |
| 雑誌掲載位置 | 89ページ目 |
「ＮＶＳＭＷ ２００６」の最終日に開かれた窒化膜トラップ（ＳＯＮＯＳ）型フラッシュ・メモリーのセッションでは，２ビット／セル以上の多値化技術の発表が相次いだ。イスラエルＳａｉｆｕｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ Ｌｔｄ．が４ビット／セルの多ビット化，台湾Ｍａｃｒｏｎｉｘ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．と韓国Ｓｅｏｕｌ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙがそれぞれ２ビット／セル…
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