Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ４５ｎｍノードのＬＳＩの欠陥に対応〜４５ｎｍノードのＬＳＩの欠陥に対応
日経マイクロデバイス 第249号 2006.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第249号（2006.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全547字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （315kb） |
| 雑誌掲載位置 | 102ページ目 |
４５ｎｍノード（ｈｐ６５）のＬＳＩに対応するインライン方式の電子ビーム（ＥＢ）ウエーハ検査装置（図１）。歩留まり低下の要因になる直径３０〜５０ｎｍの微細な物理欠陥に加え，ビア底部のコンタクト不良やトランジスタの接合リークなどの電気的欠陥を検出できる。今回の装置は，従来機「ｅＳ３１」を次の４点で改良した。第１に，電子ビームの絞りを細くして，より寸法の小さい欠陥を検出できるようにした。電子ビーム発生…
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