Ｔｕｔｏｒｉａｌ〜第２回●ＣＭＯＳデバイス 新材料・新構造を導入し 高集積化の壁を打破
日経マイクロデバイス 第249号 2006.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第249号（2006.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全11470字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （560kb） |
| 雑誌掲載位置 | 90〜97ページ目 |
プロセス装置技術を理解するためには，最終的に作ろうとしているデバイス構造を知ることが欠かせない。このような視点から，連載の第２回では，まずＤＲＡＭやフラッシュ・メモリー，マイクロプロセサといったＣＭＯＳデバイス技術を総覧する。ＬＳＩの基本素子であるＭＯＳトランジスタや多層配線についても解説する。各デバイスは，高集積化の課題を解決するために，新しい構造や材料を取り入れて進化してきた。それを支えるプロ…
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