Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ＰＲＡＭをＲｅＲＡＭやＭＲＡＭが追う 「メモリー・シンポ」報告
日経マイクロデバイス 第249号 2006.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第249号（2006.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全295字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （257kb） |
| 雑誌掲載位置 | 83ページ目 |
「２００７年までにサンプル出荷を開始する」。韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．がそう公言するＰＲＡＭを，ＲｅＲＡＭやＭＲＡＭが追う。１月３０〜３１日に都内で開催された「第４回半導体メモリー・シンポジウム」では，そうした新型不揮発性メモリーの開発の最新動向が明らかになった。ここに来てＰＲＡＭの実用化が現実味を帯びてきた理由は，記憶素子の結晶をアモルファス化してデータを書…
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