Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜「４５ｎｍは液浸露光を使わない」 米ＩｎｔｅｌがドライＡｒＦを延命
日経マイクロデバイス 第249号 2006.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第249号（2006.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全241字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （257kb） |
| 雑誌掲載位置 | 83ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．は４５ｎｍノード（ｈｐ６５）向けの露光技術として，液浸ＡｒＦ露光を使わず，ドライＡｒＦ露光を延命する方針を明らかにした。完全動作を達成している４５ｎｍノードの１５３ＭビットＳＲＡＭはドライＡｒＦ露光技術で試作しており，マイクロプロセサなどの量産時もドライを使う方向である。ただし，「液浸露光そのものは興味深い技術であり，３２ｎｍノード（ｈｐ４５）の一つの選択肢として引き続き…
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