Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜浮遊ゲートの代替技術が続々 「メモリー・シンポ」報告
日経マイクロデバイス 第249号 2006.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第249号（2006.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全376字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （257kb） |
| 雑誌掲載位置 | 83ページ目 |
フラッシュ・メモリーはどのプロセス世代まで延命できるのか。１月３０〜３１日に開催された「第４回半導体メモリー・シンポジウム」では，メモリー業界の最大の議論の的であるこの問題に対して，各社が見解を示した。韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． Ｓｅｎｉｏｒ Ｖｉｃｅ ＰｒｅｓｉｄｅｎｔのＫｉ−Ｎａｍ Ｋｉｍ氏，米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ． Ｖｉｃｅ Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ， Ｔｅｃ…
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