Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜産総研が「スピン・トランジスタへの第一歩」　バイポーラ型ＴＭＲ素子でＭＲ比１００％実証
日経マイクロデバイス　第244号　2005.10.1

　産業技術総合研究所（産総研）は，バイポーラ型のＴＭＲ（ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ　ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子で１００％と大きい磁気抵抗（ＭＲ）比を実証した。産総研が強磁性電極層の材料として使ったのは，ＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体ＧａＡｓにＭｎを混入した（Ｇａ，Ｍｎ）Ａｓである。トンネル障壁層の材料にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＺｎＳｅを使うＴＭＲ素子で大きなＭＲ比得た。しかし，（Ｇａ，Ｍｎ）Ａｓ…