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Tech−On!Ranking[LSI]〜「Cree社に勝つ」 SiCエピ・ウエーハの国内供給ベンチャが設立へ
日経マイクロデバイス 第244号 2005.10.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第244号(2005.10.1) |
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ページ数 | 1ページ (全395字) |
形式 | PDFファイル形式 (265kb) |
雑誌掲載位置 | 93ページ目 |
SiCエピタキシャル・ウエーハの事業化を目指す動きが活発化してきた。産業技術総合研究所(産総研),電力中央研究所,昭和電工は,高品質のSiCエピタキシャル・ウエーハを低コストに量産する技術を共同開発する。さらに関係者で設立するウエーハ生産ベンチャに技術を移転し,2006年10月をメドにSiCエピタキシャル・ウエーハの国内向け供給を開始する。今回のプロジェクトで中心的役割を担う産総研パワーエレクト…
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