Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●マイクロプロセサ マルチコアで並列化 メディア処理性能が飛躍的に向上
日経マイクロデバイス 第241号 2005.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第241号（2005.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2452字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （216kb） |
| 雑誌掲載位置 | 94〜95ページ目 |
鈴置 雅一ソニー・コンピュータエンタテインメント半導体事業本部 マイクロプロセッサ開発部 ２０１０〜２０２０年までの「マイクロプロセサ」におけるイノベーションは，１チップに複数のプロセサ・コアを搭載するマルチコア技術であると考える（図１）。これによって，メディア処理性能を飛躍的に向上させることができる。さらに，マルチコア技術は“入力が同じなら出力も同じ”というコンピュータの常識を根底から覆す。単体…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全2452字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜エネルギー●パワー素子 ＳｉからＳｉＣへの置き換え 水冷なしでハイブリッド車に搭載
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜エネルギー●超電導回路 半導体と同一基板に搭載 家庭用民生機器へ応用が拡大
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●不揮発性メモリー 機能分子を記録層に使うＨＤＤ型実現 記憶媒体のすべてを制覇
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●ＤＲＡＭ セル・トランジスタを３次元化 携帯機器市場で需要を拡大
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●ナノスケール・トランジスタ ＣＭＯＳと量子デバイスの融合 集積度に頼らずして高機能化
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜エネルギー●パワー素子 ＳｉからＳｉＣへの置き換え 水冷なしでハイブリッド車に搭載
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜エネルギー●超電導回路 半導体と同一基板に搭載 家庭用民生機器へ応用が拡大
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●不揮発性メモリー 機能分子を記録層に使うＨＤＤ型実現 記憶媒体のすべてを制覇
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●ＤＲＡＭ セル・トランジスタを３次元化 携帯機器市場で需要を拡大
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●ナノスケール・トランジスタ ＣＭＯＳと量子デバイスの融合 集積度に頼らずして高機能化
