Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●ＤＲＡＭ セル・トランジスタを３次元化 携帯機器市場で需要を拡大
日経マイクロデバイス 第241号 2005.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第241号（2005.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2000字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （189kb） |
| 雑誌掲載位置 | 98〜99ページ目 |
Ｋｉ−Ｎａｍ Ｋｉｍ韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． ＡＴＤ Ｔｅａｍ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｒ＆Ｄ Ｃｅｎｔｅｒ ２０１０〜２０２０年の「ＤＲＡＭ」におけるイノベーションは，セル・トランジスタの３次元化である（図１）本誌注１）。これにより，微細化に伴って生じるリーク電流やデータ保持特性の劣化を抑制し，メモリーとしての性能向上を持続する。ハーフ・ピッチ５０ｎｍ…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全2000字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●マイクロプロセサ マルチコアで並列化 メディア処理性能が飛躍的に向上
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●不揮発性メモリー 機能分子を記録層に使うＨＤＤ型実現 記憶媒体のすべてを制覇
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●ナノスケール・トランジスタ ＣＭＯＳと量子デバイスの融合 集積度に頼らずして高機能化
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●無線回路 ソフトウェア無線技術を活用 ユビキタス社会を安価に実現
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●受動部品 ＬＳＩにオンチップ化 異種デバイスの整合技術が重要に
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●マイクロプロセサ マルチコアで並列化 メディア処理性能が飛躍的に向上
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●不揮発性メモリー 機能分子を記録層に使うＨＤＤ型実現 記憶媒体のすべてを制覇
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●ナノスケール・トランジスタ ＣＭＯＳと量子デバイスの融合 集積度に頼らずして高機能化
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●無線回路 ソフトウェア無線技術を活用 ユビキタス社会を安価に実現
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●受動部品 ＬＳＩにオンチップ化 異種デバイスの整合技術が重要に
