Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜演算・記憶●ナノスケール・トランジスタ ＣＭＯＳと量子デバイスの融合 集積度に頼らずして高機能化
日経マイクロデバイス 第241号 2005.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第241号（2005.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2153字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （215kb） |
| 雑誌掲載位置 | 100〜101ページ目 |
平本 俊郎東京大学教授 生産技術研究所 ２０１０〜２０２０年の「ナノスケール・トランジスタ」におけるイノベーションは，ＣＭＯＳと量子デバイスの融合である注１）（図１）。これにより，微細化以外の手法でＬＳＩの性能を向上できるようになる。例えば，“記憶”や“連想”といった人間の脳に近い演算処理を，集積度は低くても機能の高いＬＳＩで実現できる可能性がある。新機能で「微細化の壁」を乗り越える ナノスケール…
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