Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 第２部 デバイス・イノベーション 第２部 デバイス技術〜エネルギー●パワー素子 ＳｉからＳｉＣへの置き換え 水冷なしでハイブリッド車に搭載
日経マイクロデバイス 第241号 2005.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第241号（2005.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2497字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （225kb） |
| 雑誌掲載位置 | 90〜91ページ目 |
松波 弘之科学技術振興機構研究成果活用プラザ京都 ２０１０〜２０２０年の「パワー素子」分野では，低損失のＳｉＣ素子が，既存のＳｉ素子に代わってパワー半導体の中核となる。Ｓｉ素子を使うより小型・低コスト化できる。冷却システムを不要にできるか簡素化できるからである。このためＳｉＣ素子を電力変換器（インバータなど）に使うと，パワー密度を大幅に高められる。しかも低コストにできる。ハイブリッド車に使う数十ｋ…
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