ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜米ＴＩの混載ＦｅＲＡＭやＭＥＭＳデバイスは 携帯電話機に載るのか
日経マイクロデバイス 第239号 2005.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第239号（2005.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全440字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （50kb） |
| 雑誌掲載位置 | 86〜87ページ目 |
米Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．（ＴＩ）は，３月２８日に携帯電話機向け半導体戦略に関する記者会見を開き，開発中の強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）を携帯電話機に搭載する予定が当面はないとの見解を示した。今回の会見では「コストという観点ではＦｅＲＡＭが最も良いわけではない。フラッシュ・メモリーを超えるようなコスト・メリットを実現できないと搭載することはない」（同社Ｓｅｎｉｏｒ Ｖｉｃｅ …
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