Ｃｏｖｅｒ　Ｓｔｏｒｙ　フラッシュにコストで挑む〜コストでフラッシュに対抗できる　新型メモリーが実用化へ前進
日経マイクロデバイス　第238号　2005.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第238号（2005.4.1）
ページ数	4ページ　（全4550字）
形式	PDFファイル形式　（130kb）
雑誌掲載位置	38〜41ページ目

新型の不揮発性メモリーが，再び注目を集め始めた。コスト競争力で高いポテンシャルを持つＲＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　ＲＡＭ）やＰＲＡＭ（ｐｈａｓｅ　ｃｈａｎｇｅ　ＲＡＭ）が，これまでの予想より早く実用化できる可能性が出てきたためである。これらの新型を既存の材料やプロセスで作製する技術にメドが立ち，未知だったデバイス物理の検証も進んだ。「ポスト・フラッシュ」に位置づけられていた新型が，研究者の予想より…